GaAspHEMT相关论文
阐述一款基于GaAsp HEMT的2～6GHz收发多功能芯片的设计，该芯片集成了收发切换开关、接收低噪声放大器和发射功率放大器，具有高集成、......
基于GaAs赝配型高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺,研制了一款96-105GHz的四通道发射多功能芯片,完成信号的多通道倍频放大。电路由Ka、......
期刊
相控阵雷达作为现代军事装备中重要的信息获取装置,在电子战中占据着举足轻重的地位。相控阵雷达正向着小型化、超宽带、高性能等......
通过分析GaAs pHEMT器件特性设计了一款两级高增益、低功耗的低噪声放大器.采用两级结构提高低噪声放大器的增益,设计了一种共用电......
C波段的混频器（mixer）和压控振荡器（VCO）作为收发通信系统中的变频模块,是卫星和雷达等应用领域的射频通信中极其关键的射频器件。本文......
由于相控阵技术的多波束形成及波束快速扫描能力,使得有源相控阵系统在雷达、通信领域中得到广泛的应用。收发芯片作为有源相控阵......
随着5G移动通信的迅猛发展,当前5G工作频段分为Sub-6GHz和毫米波频段,其中毫米波先行频段为24.25-33.4GHz。5G时代的到来,意味着移......
为了实现低噪声、高线性度、中功率的指标特性,设计了一款基于GaAs pHEMT工艺的2.5～4.3 GHz驱动功率放大器(power amplifier,PA),该......
期刊
本文给出光纤通信发射机中GaAs HMET工艺电吸收调制器驱动电路的设计方法与实验结果.此驱动电路采用单电源供电,双端输入,双端输出......
会议
GaAs基半导体材料凭借着其优良的性能,促使GaAs PHEMT（Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,赝高电子迁移率晶体管）器......
阐述了毫米波段低噪声ＧａＡｓＰＨＥＭＴ课题的研究过程，报道了研究结果。研制出的器件最高振荡频率超过１５０ＧＨｚ，这是国内第一个频率进入３毫米波段的半导体三端......
采用0·5μmGaAsPHEMT工艺研制了一种单电源共栅电流模跨阻抗前置放大器(TIA).测量得到放大器-3dB带宽为7·5GHz,跨阻增益为45dBΩ......
介绍了一种采用0.15μm GaAs PHEMT工艺设计加工的2～20 GHz宽带单片放大器,为了提高电路的整体增益和带宽,在设计电路时采用两级级......
采用GaAsPHEMT工艺,设计了一种700 MHz频段的高线性驱动放大器MMIC.该放大器内部集成了带通复合匹配网络结构的宽带输入匹配电路,......
期刊
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz～16GHz范围......
